PMN50XP

品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V TSOP6

物料参数

安装类型:SMT
品牌:VBsemi
击穿电压:30V
原始制造商:VBsemi Electronics Co. Ltd
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:4A
长x宽/尺寸:3.05 x 1.65mm
封装/外壳:TSOP6
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China Taiwan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):54mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):15nC
高度:1.10mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:6Pin
价格梯度 价格
1+¥1.0848
10+¥1.0170
50+¥0.9153
150+¥0.8475
300+¥0.8000
500+¥0.7797
包装:1 库存:0