NCE10TD60BD

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
600V,10A,沟槽式FS II l快速IGBT

物料参数

安装类型:SMT
正向电流:10A
功率耗散:83W
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO:600V
Vce饱和压降:1.7V
包装:Tape/reel
集射极击穿电压Vce(Max):600V
脉冲电流-集电极(Icm):30A
长x宽/尺寸:10.36 x 9.02mm
封装/外壳:TO-263(D²Pak)
元件生命周期:Active
工作温度:-55℃~+150℃
集电极电流 Ic:20A
正向压降VF TYP:1.5V
最小包装:800pcs
反向恢复时间(trr):158ns
栅极电荷(Qg):44nC
高度:4.64mm
栅极-射极电压VGE:±30V
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
10+¥3.7300
100+¥3.0500
300+¥2.7100
包装:10 库存:120