NCE10TD60BD
品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
600V,10A,沟槽式FS II l快速IGBT
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 正向电流: | 10A |
| 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO: | 600V |
| 关断延迟时间: | 20ns |
| Vce饱和压降: | 1.7V |
| 包装: | Tape/reel |
| 集射极击穿电压Vce(Max): | 600V |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 10.36 x 9.02mm |
| 封装/外壳: | TO-263(D²Pak) |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 集电极-发射极电压 VCEO: | 600V |
| 集电极电流 Ic: | 20A |
| 正向压降VF TYP: | 1.5V |
| 原产国家: | China |
| 开通延迟时间: | 73ns |
| 栅极电荷(Qg): | 44nC |
| 高度: | 4.64mm |
| 栅极-射极电压VGE: | ±30V |
| 引脚数: | 3Pin |