CES2362
品牌
VBSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=86mΩ@4.5V SOT23
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 击穿电压: | 60V |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 原始制造商: | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 连续漏极电流: | 3.1A |
| 长x宽/尺寸: | 3.04 x 1.40mm |
| 封装/外壳: | SOT-23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 86mΩ |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 栅极电荷(Qg): | 6.1nC |
| 零件状态: | Active |
| 晶体管类型: | MOSFET |