

UMWSI2302B
品牌
UMW
供应商

分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.5A Pd=400mW SOT23
物料参数
安装类型: | SMT |
功率耗散: | 400mW |
击穿电压: | 20V |
阈值电压: | 950mV@50µA |
原始制造商: | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. |
包装: | Tape/reel |
连续漏极电流: | 2.5A |
存储温度: | +150℃ |
封装/外壳: | SOT-23 |
反向传输电容Crss: | 80pF |
栅极源极击穿电压: | ±8V |
充电电量: | 4nC |
配置: | 单路 |
原产国家: | China |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 45mΩ |
输入电容: | 300pF |
最小包装: | 3000pcs |
漏源电压(Vdss): | 20V |
认证信息: | RoHS |
晶体管类型: | N沟道 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
50+ | ¥0.1015 |
500+ | ¥0.0907 |
5000+ | ¥0.0835 |
10000+ | ¥0.0799 |
30000+ | ¥0.0763 |
50000+ | ¥0.0742 |
包装:50 | 库存:1255 |