UMWSI2302B

品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.5A Pd=400mW SOT23

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:400mW
击穿电压:20V
阈值电压:950mV@50µA
原始制造商:Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
连续漏极电流:2.5A
存储温度:+150℃
封装/外壳:SOT-23
反向传输电容Crss:80pF
栅极源极击穿电压:±8V
充电电量:4nC
配置:单路
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):45mΩ
输入电容:300pF
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
认证信息:RoHS
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
50+¥0.1015
500+¥0.0907
5000+¥0.0835
10000+¥0.0799
30000+¥0.0763
50000+¥0.0742
包装:50 库存:1255