BLM4435

品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 VDS = -30V,ID = -9.1A SOP-8

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
功率耗散:3W
阈值电压:3V@250μA
额定功率:3100W
原始制造商:Shanghai Belling Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:9.1A
封装/外壳:SOP8_150MIL
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
配置:单路
原产国家:China
最小包装:2500pcs
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):30nC@10V
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.7650
20+¥0.6975
100+¥0.6300
500+¥0.5625
1000+¥0.5310
2000+¥0.5085
包装:5 库存:0