UMWSI2305A

品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A Pd=1.38W SOT23

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
阈值电压Vgs(th):500mV@250µA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:4.2A
极性:P-沟道
漏源击穿电压BVDSS:20V
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
封装/外壳:SOT23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:+150℃
漏极电流Idss:-4.2A
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):65mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
高度:1.05mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:3Pin