UMWSI2300A

品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道20V(D-S)MOSFET

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
击穿电压:20V
阈值电压:1V@50µA
原始制造商:UMW
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:6A
封装/外壳:SOT-23
漏极电流:6A
反向传输电容Crss:60pF
工作温度:+150℃
充电电量:7.7nC
配置:单路
原产国家:China Taiwan
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
正向压降VF Max:1.2V
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
5+¥0.2380
20+¥0.2170
100+¥0.1960
500+¥0.1750
1000+¥0.1652
2000+¥0.1582
包装:5 库存:0