NCEP40T13GU

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):80W

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:130W
阈值电压:2.2V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:130A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:5.75 x 4.90mm
封装/外壳:DFN8_5X6MM
元件生命周期:Active
漏极电流:1uA
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):70nC
零件状态:在售
高度:1.00mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥2.1281
10+¥1.9267
30+¥1.7925
100+¥1.5911
500+¥1.4971
1000+¥1.4300
包装:1 库存:23
价格梯度 价格
1+¥3.4200
10+¥2.8100
30+¥2.5400
100+¥2.2100
500+¥1.9800
1000+¥1.8900
包装:1 库存:6402
价格梯度 价格
1+¥3.0370
包装:1 库存:5