NCEP40T13GU

品牌
NCE
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):130A 功率(Pd):80W

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:40V
阈值电压:2.2V@250µA
原始制造商:WUXI NCE POWER CO., Ltd.
额定功率:80W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,65A
包装:Tape/reel
连续漏极电流:130A
封装/外壳:DFN8_5X6MM
漏极电流:1uA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:57pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):3.6mΩ
输入电容:3.99nF
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):40V
栅极电荷(Qg):70nC
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥3.0370
包装:1 库存:5