BLM4953

品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道增强型功率MOSFET SOP8 VGS=±12V VDS=30V,ID=5.1A

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
阈值电压:1.6V
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:5.1A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.90mm
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOP8_150MIL
漏极电流:-1μA
栅极源极击穿电压:±20V
反向传输电容Crss:70pF
工作温度:-55℃~+150℃
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):73mΩ
输入电容:-
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):-
高度:1.75mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
5+¥0.6660
20+¥0.6105
100+¥0.5550
500+¥0.4995
1000+¥0.4736
2000+¥0.4551
包装:5 库存:0