TC4953C
品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
20V P 沟道增强型MOS场效应管
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | FM |
| 功率耗散: | - |
| 击穿电压: | -20V |
| 阈值电压: | -1.4V |
| 原始制造商: | Fine Made Microelectronics Group Co., Ltd. |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 5.3A |
| 长x宽/尺寸: | 4.90 x 3.90mm |
| 存储温度: | -50℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOIC8_150MIL |
| 漏极电流: | -5.3A |
| 工作温度: | -50℃~+150℃ |
| 配置: | 双路 |
| 原产国家: | China |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 110mΩ |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 高度: | 1.50mm |
| 晶体管类型: | P沟道 |
| 引脚数: | 8Pin |
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