

UMW4N65F
品牌
UMW
供应商

分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2.8Ω@10V TO220F
物料参数
安装类型: | 插件 |
品牌: | UMW |
击穿电压: | 650V |
功率耗散: | 33W |
阈值电压: | 4V |
包装: | Tube packing |
极性: | N-沟道 |
连续漏极电流: | 4A |
长x宽/尺寸: | 10.30 x 4.95mm |
封装/外壳: | TO220F |
漏极电流: | 4A |
栅极源极击穿电压: | ±30V |
工作温度: | +150℃ |
配置: | 单路 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 2.8Ω |
最小包装: | 50pcs |
漏源电压(Vdss): | 650V |
高度: | 20.00mm |
晶体管类型: | N沟道 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥0.9380 |
30+ | ¥0.9045 |
100+ | ¥0.8710 |
500+ | ¥0.8040 |
1000+ | ¥0.7705 |
2000+ | ¥0.7504 |
包装:1 | 库存:0 |