UMW4N65F

品牌
UMW
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=2.8Ω@10V TO220F

物料参数

安装类型:插件
品牌:UMW
击穿电压:650V
功率耗散:33W
阈值电压:4V
包装:Tube packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:4A
长x宽/尺寸:10.30 x 4.95mm
封装/外壳:TO220F
漏极电流:4A
栅极源极击穿电压:±30V
工作温度:+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.8Ω
最小包装:50pcs
漏源电压(Vdss):650V
高度:20.00mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.9380
30+¥0.9045
100+¥0.8710
500+¥0.8040
1000+¥0.7705
2000+¥0.7504
包装:1 库存:0