ULN2004M/TR

品牌
HGSEMI
供应商
分类
晶体管 > 达林顿三极管
描述
ULN2004M/TR

物料参数

安装类型:SMT
特性:-
功率耗散:-
关断延迟时间:1µs
集射极击穿电压Vce(Max):-
包装:Tape/reel
跃迁频率:-
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:-
封装/外壳:SOP16
工作温度:+150℃
集电极-发射极电压 VCEO:50V
集电极电流 Ic:500mA
原产国家:China
最小包装:2500pcs
DC电流增益(hFE)(Min&Range):1000
开通延迟时间:1µs
Vce饱和压降(Max):1.1V
零件状态:Active
晶体管类型:NPN