BLM2301

品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道增强型功率MOSFET VDS=20V,VGS=±12V ID=3A SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Belling
击穿电压:20V
功率耗散:1W
阈值电压:1V@250μA
额定功率:1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,3A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:3A
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):89mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):12nC@10V
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
引脚数:3Pin