TPDMN26D0UFB4
品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
场效应管(MOSFET)
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | TECH PUBLIC |
| 功率耗散: | 100mW |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 700mA |
| 长x宽/尺寸: | 1.00 x 0.60mm |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | DFN3_1X0.6MM |
| 栅极源极击穿电压: | ±10A |
| 反向传输电容Crss: | 15pF |
| 工作温度: | +150℃ |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 300mΩ |
| 输入电容: | 120pF |
| 最小包装: | 10000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 栅极电荷(Qg): | - |
| 高度: | 0.50mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |
| 引脚数: | 3Pin |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 5+ | ¥0.1155 |
| 20+ | ¥0.1050 |
| 100+ | ¥0.0945 |
| 500+ | ¥0.0840 |
| 1000+ | ¥0.0791 |
| 2000+ | ¥0.0756 |
| 包装：5 | 库存：7355 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.1501 |
| 包装：1 | 库存：240 |