TPNTK3139PT1G

品牌
TECH PUBLIC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=850mA P=690mW SOT723

物料参数

安装类型:SMT
阈值电压:750mV@250μA
额定功率:690mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):530mΩ@4.5V,550mA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:850mA
封装/外壳:SOT-723-3
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:4.4pF@10V
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:+150℃
充电电量:0.8nC
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):1950mΩ
输入电容:58pF
最小包装:8000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):0.8nC
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
引脚数:3Pin