ULN2003N
品牌
HGSEMI
供应商
分类
晶体管 > 达林顿三极管
描述
高电压,大电流 达林顿晶体管阵列 NPN DIP16
物料参数
安装类型: | 插件 |
特性: | - |
品牌: | HGSEMI |
功率耗散: | - |
关断延迟时间: | 1µs |
Vce饱和压降: | 1.6V |
集射极击穿电压Vce(Max): | - |
包装: | Tube packing |
正向电压(Vf)(典型值): | 1.5V |
跃迁频率: | - |
长x宽/尺寸: | 19.80 x 6.50mm |
封装/外壳: | DIP16_19.8X6.5MM |
工作温度: | -20℃~+85℃ |
输入电容: | 30pF |
最小包装: | 25pcs |
开通延迟时间: | 1µs |
高度: | 3.50mm |
零件状态: | Active |
DC电流增益(hFE): | 1000 |
晶体管类型: | NPN |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
5+ | ¥0.5600 |
20+ | ¥0.5500 |
100+ | ¥0.5300 |
包装:5 | 库存:10 |