LBC856BWT1G
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晶体管 > 通用三极管
描述
PNP VCEO:65V IC:100mA
物料参数
安装类型: | SMT |
是否无铅: | Yes |
品牌: | LRC |
功率耗散: | 150mW |
Vce饱和压降: | 650mV |
包装: | Tape/reel |
集射极击穿电压Vce(Max): | 65V |
极性: | PNP |
跃迁频率: | 100MHz |
印字代码: | 3B |
存储温度: | -55℃~+150℃ |
封装/外壳: | SOT-323 |
工作温度: | -55℃~+150℃ |
集电极电流 Ic: | 100mA |
集电极-发射极电压 VCEO: | 65V |
最小包装: | 3000 |
发射极与基极之间电压 VEBO: | 5V |
认证信息: | RoHS |
DC电流增益(hFE): | 220~475 |
晶体管类型: | PNP |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥0.0671 |
30+ | ¥0.0647 |
100+ | ¥0.0623 |
500+ | ¥0.0575 |
1000+ | ¥0.0551 |
2000+ | ¥0.0537 |
包装:1 | 库存:1970 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
20+ | ¥0.1170 |
200+ | ¥0.0965 |
600+ | ¥0.0851 |
包装:20 | 库存:1240 |
价格梯度 | 价格 |
---|---|
1+ | ¥0.0637 |
100+ | ¥0.0608 |
包装:1 | 库存:1765 |