2301P

品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道沟道功率MOSFET 20V 2.8A 110mΩ@10V,1A 840mW 650mV@250uA 42pF@10V P Channel 332pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3

物料参数

安装类型:SMT
品牌:FM
功率耗散:840mW
原始制造商:SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:2.8A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:2.90 x 1.30mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):28mΩ
原产国家:China
输入电容:332pF
漏源电压(Vdss):20V
零件状态:Active
高度:1.15mm
引脚数:3Pin
价格梯度 价格
5+¥0.0559
20+¥0.0549
100+¥0.0528
包装:5 库存:1675