BLM3401

品牌
BELLING
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道增强型功率MOSFET VDS=30V VGS=±20V ID=4.2A P=1.2W SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Belling
击穿电压:30V
阈值电压:1.3V
原始制造商:Shanghai Belling Co., Ltd.
额定功率:1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4.2A
包装:Tape/reel
极性:P-沟道
连续漏极电流:4.2A
封装/外壳:SOT-23
漏极电流:4.2A
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):95mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.15mm
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道
价格梯度 价格
5+¥0.1992
20+¥0.1812
100+¥0.1632
500+¥0.1452
1000+¥0.1368
2000+¥0.1308
包装:5 库存:231