1N60L-T92-K

品牌
UTC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):1.2A 功率(Pd):1W

物料参数

安装类型:插件
品牌:UTC
击穿电压:600
功率耗散:1W
原始制造商:Unisonic Technology Co., Ltd.
包装:Bag Packing
极性:N-沟道
连续漏极电流:1.2A
长x宽/尺寸:4.90 x 3.80mm
封装/外壳:TO92-3
栅极源极击穿电压:±30
反向传输电容Crss:3
工作温度:+150℃
配置:单路
原产国家:China Taiwan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):-
输入电容:120pF
最小包装:1000pcs
漏源电压(Vdss):600V
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.3686
10+¥0.3549
100+¥0.3140
500+¥0.3058
包装:1 库存:550
价格梯度 价格
5+¥0.7178
50+¥0.5798
150+¥0.5108
包装:5 库存:540
价格梯度 价格
1+¥0.6378
包装:1 库存:140