PJM8205ADNSG

品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 2N-Channel VDS=18V VGS=±12V ID=6A SOT23-6

物料参数

安装类型:SMT
原始制造商:Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd.
额定功率:1.2W
连续漏极电流Id@25℃:6A
包装:Tape/reel
极性:Dual N-Channel
漏源导通电阻 RDS(on):32mΩ
FET类型:N-Channel
封装/外壳:SOT23-6
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
配置:Single
原产国家:China
栅极电荷(Qg)(Max):12nC
最小包装:3000pcs
功率(Max):1.2W
漏源电压(Vdss):18V
导通电阻Rds On(Max):32mΩ
工作温度(Tj):+150℃
零件状态:Active