2302B

品牌
FM
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
30V N 沟道增强型 MOS 场效应管

物料参数

安装类型:SMT
品牌:FM
功率耗散:1.25W
阈值电压:3V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:2.4A
长x宽/尺寸:3.00 x 1.40mm
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
漏极电流:2.4A
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):75mΩ
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.15mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
无库存