WSD80100DN56
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 击穿电压: | 80V |
| 功率耗散: | 200W |
| 阈值电压: | 3V@250µA |
| 原始制造商: | Winsok power Semiconductor CO., LTD |
| 包装: | Original |
| 连续漏极电流: | 100A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 5.75 x 4.90mm |
| 封装/外壳: | DFN8_5X6MM |
| 反向传输电容Crss: | 315pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 工作温度: | +150℃ |
| 充电电量: | 125nC |
| 配置: | 单路 |
| 原产国家: | China |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 6.1mΩ |
| 输入电容: | 4.9nF |
| 漏源电压(Vdss): | 80V |
| 晶体管类型: | N沟道 |