WSD3067DN56
品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：24/-19.8A 功率(Pd)：18.9W
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 是否无铅: | Yes |
| 功率耗散: | 18.9W |
| 阈值电压: | 1.8V@250µA |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流: | 24A |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 长x宽/尺寸: | 5.85 X 5.40mm |
| 封装/外壳: | DFN8_5X6MM |
| 元件生命周期: | Active |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 反向传输电容Crss: | 42pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃ |
| 充电电量: | 8.3nC |
| 配置: | 单路 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 15mΩ |
| 输入电容: | 395pF |
| 漏源电压(Vdss): | 30V |
| 晶体管类型: | N沟道和P沟道互补型 |
| 引脚数: | 8Pin |