BC857C/DG/B4R
品牌
NEXPERIA USA INC.
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述
TRANSISTOR GEN PURP
物料参数
| 制造商: | Nexperia USA Inc. |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 15nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 125 @ 2mA，5V |
| 频率 - 跃迁: | 100MHz |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装: | TO-236AB |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 45 V |
| 功率 - 最大值: | 250 mW |
| 基本产品编号: | BC857 |