2SJ651
品牌
SANYO
供应商
分类
分立半导体产品
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 家庭: | FET - 单 |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| FET类型: | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET功能: | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| 漏源极电压（Vdss）: | 60V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 20A（Ta） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 60 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: | 45nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）: | 2200pF @ 20V |
| 功率-最大值: | 2W |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装: | TO-220ML |
| 其它名称: | 869-1055 |