AOWF12N60
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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单
描述
通孔 N 沟道 600V 12A(Tc) 28W(Tc)
物料参数
类别: | 分立半导体产品 |
制造商: | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET类型: | N 沟道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时): | 12A(Tc) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): | 10V |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 550 毫欧 @ 6A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): | 50nC @ 10V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): | 2100pF @ 25V |
FET功能: | - |
功率耗散(最大值): | 28W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-262-3 整包,I²Pak |
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