ALD114913PAL
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分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
物料参数
| 制造商: | Advanced Linear Devices Inc. |
| 系列: | EPAD® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 有源 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）配对 |
| FET 功能: | 耗尽模式 |
| 漏源电压（Vdss）: | 10.6V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12mA，3mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 500 欧姆 @ 2.7V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.26V @ 1µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2.5pF @ 5V |
| 功率 - 最大值: | 500mW |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 8-DIP（0.300，7.62mm） |
| 供应商器件封装: | 8-PDIP |
| 基本产品编号: | ALD114913 |