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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个

描述

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

物料参数

制造商:	Toshiba Semiconductor and Storage
系列:	U-MOSVIII-H
零件状态:	有源
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	116A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V @ 1mA
Vgs（最大值）:	±20V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	800mW（Ta），142W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DSOP Advance
封装/外壳:	8-PowerVDFN
漏源电压（Vdss）:	80 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	59 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5300 pF @ 40 V
基本产品编号:	TPW4R008