ALD1101APAL
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述
2 N 沟道（双）配对 Mosfet 阵列 10.6V 500mW 通孔 8-PDIP
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Advanced Linear Devices Inc. |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET类型: | 2 N 沟道（双）配对 |
| FET功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 10.6V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 75 欧姆 @ 5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 1V @ 10µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 10pF @ 5V |
| 功率-最大值: | 500mW |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | 8-DIP（0.300，7.62mm） |
| 供应商器件封装: | 8-PDIP |