2SA1930(Q,M)
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分立半导体产品>>晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
描述
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
物料参数
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
系列: | - |
包装: | 散装 |
零件状态: | 停产 |
晶体管类型: | PNP |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 1V @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 5µA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 100 @ 100mA,5V |
频率 - 跃迁: | 200MHz |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
供应商器件封装: | TO-220NIS |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 2 A |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 180 V |
功率 - 最大值: | 2 W |
基本产品编号: | TLP570 |
无库存