FDA38N30
品牌
ONSEMI
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
物料参数
| ==onsemi<: | >==UniFET™ |
| ==管件<: | >零件状态==在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 300 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 38A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 85 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 60 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2600 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 312W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-3PN |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.0400 |
| 30+ | ¥2.2253 |
| 510+ | ¥1.5328 |
| 1020+ | ¥1.4286 |
| 包装：1 | 库存：10025 |