RJK4002DPD-00#J2

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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单
描述
表面贴装 N 沟道 400V 3A(Ta) 30W(Tc) MP-3A

物料参数

类别:分立半导体产品
制造商:Renesas Electronics America
系列:-
包装:带卷(TR)
零件状态:在售
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):400V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):2.9 欧姆 @ 1.5A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):165pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):30W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:MP-3A
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63