BUK9M10-30EX
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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单
物料参数
类别: | 分立半导体产品 |
家庭: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单 |
制造商: | NXP Semiconductors |
系列: | 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™ |
包装: | 带卷(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET类型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET功能: | 逻辑电平门 |
漏源极电压(Vdss): | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时): | 54A(Tc) |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): | 7.8 毫欧 @ 15A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值): | 2.1V @ 1mA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg): | 12.2nC @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss): | 1249pF @ 25V |
功率-最大值: | 55W |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线) |
供应商器件封装: | LFPAK33 |