RN2902,LF
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分立半导体产品>>晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
描述
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
物料参数
制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
系列: | - |
零件状态: | 停產 |
晶体管类型: | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 50V |
电阻器 - 基极 (R1): | 10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2): | 10 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 50 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值): | 500nA |
频率 - 跃迁: | 200MHz |
功率 - 最大值: | 200mW |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装: | US6 |
基本产品编号: | KIA78 |