STGB15H60DF
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分立半导体产品>>晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述
IGBT 600V 30A 115W D2PAK
物料参数
| 制造商: | STMicroelectronics |
| 系列: | - |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2V @ 15V，15A |
| 开关能量: | 136µJ（开），207µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 24.5ns/118ns |
| 测试条件: | 400V，15A，10 欧姆，15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装: | D2PAK |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 30 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 60 A |
| 功率 - 最大值: | 115 W |
| 栅极电荷: | 81 nC |
| 反向恢复时间 (trr): | 103 ns |
| 基本产品编号: | STGB15 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.1500 |
| 10+ | ¥2.0490 |
| 500+ | ¥1.1511 |
| 包装：1 | 库存：159 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.1500 |
| 10+ | ¥2.0490 |
| 500+ | ¥1.1511 |
| 包装：1 | 库存：159 |