STW35N60DM2
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
物料参数
| 制造商: | STMicroelectronics |
| 系列: | MDmesh™ DM2 |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 28A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 110 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 210W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-247 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 54 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2400 pF @ 100 V |
| 基本产品编号: | STW35 |
| 价格梯度 | 价格 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.5300 |
| 30+ | ¥4.3503 |
| 510+ | ¥3.1640 |
| 包装：1 | 库存：27 |