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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个

描述

MOSFET N-CH 100V 180A TO220

物料参数

制造商:	STMicroelectronics
系列:	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
包装:	管件
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.7 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12800 pF @ 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	315W（Tc）
工作温度:	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220
封装/外壳:	TO-220-3
基本产品编号:	STP315