ON SEMICONDUCTOR
ON Semiconductor (Nasdaq: ON) is driving energy efficient innovations, empowering customers to reduce global energy use. The company offers a comprehensive portfolio of energy efficient power and signal management, logic, discrete and custom solutions to help design engineers solve their unique design challenges in automotive, communications, computing, consumer, industrial, LED lighting, medical, military/aerospace and power supply applications. ON Semiconductor operates a responsive, reliable, world-class supply chain and quality program, and a network of manufacturing facilities, sales offices and design centers in key markets throughout North America, Europe, and the Asia Pacific regions.
商品列表
KAI-4011-AAA-CR-BA
供应商: DigiKey
分类: 图像传感器、镜头、摄像头
描述: IMAGE SENSOR CCD 4.2MP 34CDIP
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: CCD 像素大小: 7.4µm x 7.4µm 有源像素阵列: 2048H x 2048V 电压 - 供电: 14.5V ~ 15.5V 封装/外壳: 34-CDIP 模块 供应商器件封装: 34-CDIP 工作温度: -50°C ~ 70°C（TA） 每秒帧数: 16 基本产品编号: KAI-4011
供应商: DigiKey
分类: 图像传感器、镜头、摄像头
描述: IMAGE SENSOR CCD 4.2MP 34CDIP
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: CCD 像素大小: 7.4µm x 7.4µm 有源像素阵列: 2048H x 2048V 电压 - 供电: 14.5V ~ 15.5V 封装/外壳: 34-CDIP 模块 供应商器件封装: 34-CDIP 工作温度: -50°C ~ 70°C（TA） 每秒帧数: 16 基本产品编号: KAI-4011
NLSV4T244DR2G
供应商: DigiKey
分类: 逻辑器件 - 转换器，电平移位器
描述: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 14SOIC
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 转换器类型: 电压电平 通道类型: 单向 每个电路通道数: 4 输入信号: - 输出信号: - 输出类型: 三态，非反相 数据速率: - 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 特性: 过压保护，断电保护 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 14-SOIC 电路数: 1 电压 - VCCA: 0.9 V ~ 4.5 V 电压 - VCCB: 0.9 V ~ 4.5 V 基本产品编号: NLSV4T244
供应商: DigiKey
分类: 逻辑器件 - 转换器，电平移位器
描述: IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 14SOIC
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 转换器类型: 电压电平 通道类型: 单向 每个电路通道数: 4 输入信号: - 输出信号: - 输出类型: 三态，非反相 数据速率: - 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 特性: 过压保护，断电保护 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 14-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 14-SOIC 电路数: 1 电压 - VCCA: 0.9 V ~ 4.5 V 电压 - VCCB: 0.9 V ~ 4.5 V 基本产品编号: NLSV4T244
NTR4171PT3G
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 720 pF @ 15 V 基本产品编号: NTR417
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 75 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±12V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 480mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236） 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15.6 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 720 pF @ 15 V 基本产品编号: NTR417
MBR3045WT
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247
制造商: ON Semiconductor 系列: SWITCHMODE™ 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 15A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 760 mV @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V 基本产品编号: MBR3045
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247
制造商: ON Semiconductor 系列: SWITCHMODE™ 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 15A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 760 mV @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 45 V 基本产品编号: MBR3045
NCP583XV26T2G
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 2.6V 150MA SOT563
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 6V 电压 - 输出（最小值/固定）: 2.6V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.55V @ 150mA 电流 - 输出: 150mA PSRR: - 控制特性: 使能 保护功能: 过流 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: SOT-563 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 1.5 µA 基本产品编号: NCP583
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 2.6V 150MA SOT563
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 输出配置: 正 输出类型: 固定 电压 - 输入（最大值）: 6V 电压 - 输出（最小值/固定）: 2.6V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.55V @ 150mA 电流 - 输出: 150mA PSRR: - 控制特性: 使能 保护功能: 过流 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: SOT-563 稳压器数: 1 电流 - 静态 (Iq): 1.5 µA 基本产品编号: NCP583
NDF03N60ZG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 50µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 27W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220FP 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 372 pF @ 25 V 基本产品编号: NDF03
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 50µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 27W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220FP 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 372 pF @ 25 V 基本产品编号: NDF03
CAT25C256LI-G
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC EEPROM 256KBIT SPI 5MHZ 8DIP
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 存储器类型: 非易失 存储器格式: EEPROM 技术: EEPROM 存储容量: 256Kb（32K x 8） 存储器接口: SPI 写周期时间 - 字，页: 5ms 电压 - 供电: 1.8V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 时钟频率: 5 MHz 基本产品编号: CAT25C256
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC EEPROM 256KBIT SPI 5MHZ 8DIP
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 存储器类型: 非易失 存储器格式: EEPROM 技术: EEPROM 存储容量: 256Kb（32K x 8） 存储器接口: SPI 写周期时间 - 字，页: 5ms 电压 - 供电: 1.8V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 时钟频率: 5 MHz 基本产品编号: CAT25C256
FDS8960C
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: PowerTrench® 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 FET类型: N 和 P 沟道 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 35V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7A，5A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24 毫欧 @ 7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 7.7nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 570pF @ 15V 功率-最大值: 900mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
类别: 分立半导体产品 制造商: Fairchild/ON Semiconductor 系列: PowerTrench® 包装: 剪切带（CT） 零件状态: 在售 FET类型: N 和 P 沟道 FET功能: 逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）: 35V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7A，5A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 24 毫欧 @ 7A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 7.7nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 570pF @ 15V 功率-最大值: 900mW 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SO
LP2950ACDT-3.0
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 27/Jun/2007 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - 线性 系列: - 包装: 管件 稳压器拓扑: 正，固定式 电压-输出: 3V 电流-输出: 100mA 电压-跌落（典型值）: 0.35V @ 100mA 稳压器数: 1 电压-输入: 最高 30V 电流-限制（最小值）: - 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: DPAK-3
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
PCN过时产品/EOL: Multiple Devices 27/Jun/2007 类别: 集成电路（IC） 家庭: PMIC - 稳压器 - 线性 系列: - 包装: 管件 稳压器拓扑: 正，固定式 电压-输出: 3V 电流-输出: 100mA 电压-跌落（典型值）: 0.35V @ 100mA 稳压器数: 1 电压-输入: 最高 30V 电流-限制（最小值）: - 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装: DPAK-3
TIG052TS-TL-E
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 400V 8TSSOP
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 5.5V @ 2.5V，150A 开关能量: - 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: - 测试条件: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 8-TSSOP 电压 - 集射极击穿（最大值）: 400 V 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A 基本产品编号: TIG052
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 400V 8TSSOP
制造商: ON Semiconductor 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 5.5V @ 2.5V，150A 开关能量: - 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: - 测试条件: - 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 8-TSSOP 电压 - 集射极击穿（最大值）: 400 V 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A 基本产品编号: TIG052