ADVANCED LINEAR DEVICES INC
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ALD110902PAL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 4.2V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 220mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: ALD110902
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 4.2V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 220mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: ALD110902
ALD2702ASAL
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 放大器类型: CMOS 输出类型: 推挽式，满摆幅 压摆率: 2.8V/µs 电流 - 供电: 2mA 电压 - 供电，单/双 (±): 4V ~ 10V，±2V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 电路数: 2 增益带宽积: 1.5 MHz 电流 - 输入偏置: 1 pA 电压 - 输入补偿: 5 mV 电流 - 输出/通道: 8 mA 基本产品编号: ALD2702
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 放大器类型: CMOS 输出类型: 推挽式，满摆幅 压摆率: 2.8V/µs 电流 - 供电: 2mA 电压 - 供电，单/双 (±): 4V ~ 10V，±2V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 电路数: 2 增益带宽积: 1.5 MHz 电流 - 输入偏置: 1 pA 电压 - 输入补偿: 5 mV 电流 - 输出/通道: 8 mA 基本产品编号: ALD2702
ALD1108EPCL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.01V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 25pF @ 5V 功率 - 最大值: 600mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP 基本产品编号: ALD1108
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.01V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 25pF @ 5V 功率 - 最大值: 600mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP 基本产品编号: ALD1108
ALD310708APCL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 P 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 780mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP 基本产品编号: ALD310708
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 P 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 780mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP 基本产品编号: ALD310708
ALD1102SAL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 P 沟道（双）配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 270 欧姆 @ 5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD1102
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 P 沟道（双）配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 270 欧姆 @ 5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 10pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD1102
ALD810016SCLI
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET QUAD SAB 10.6V EE 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 有源 晶体管类型: 4 个 N 通道 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 10.6V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET QUAD SAB 10.6V EE 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 有源 晶体管类型: 4 个 N 通道 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 10.6V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC
ALD210800ASCL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 欧姆 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 10mV @ 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD210800
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 欧姆 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 10mV @ 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD210800
ALD2302SAL
供应商: DigiKey
分类: 线性 - 比较器
描述: IC COMP VOLT PUSH-PULL DL 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 类型: 通用 输出类型: CMOS，NMOS，推挽式，TTL 电压 - 供电，单/双 (±): 4V ~ 10V，±2V ~ 5V 电压 - 输入补偿（最大值）: 4mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）: 0.001µA @ 5V 电流 - 输出（典型值）: 60mA 电流 - 静态（最大值）: 500µA CMRR，PSRR（典型值）: - 传播延迟（最大值）: - 滞后: - 工作温度: 0°C ~ 70°C 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOIC 元件数: 2 基本产品编号: ALD2302
供应商: DigiKey
分类: 线性 - 比较器
描述: IC COMP VOLT PUSH-PULL DL 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 类型: 通用 输出类型: CMOS，NMOS，推挽式，TTL 电压 - 供电，单/双 (±): 4V ~ 10V，±2V ~ 5V 电压 - 输入补偿（最大值）: 4mV @ 5V 电流 - 输入偏置（最大值）: 0.001µA @ 5V 电流 - 输出（典型值）: 60mA 电流 - 静态（最大值）: 500µA CMRR，PSRR（典型值）: - 传播延迟（最大值）: - 滞后: - 工作温度: 0°C ~ 70°C 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOIC 元件数: 2 基本产品编号: ALD2302
ALD110804SCL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 4.4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 420mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD110804
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 4.4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 420mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD110804
ALD1732ASAL
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 放大器类型: 通用 输出类型: 满摆幅 压摆率: 2.1V/µs 电流 - 供电: - 电压 - 供电，单/双 (±): 4V ~ 10V，±2V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 电路数: 1 增益带宽积: 1.5MHz 电流 - 输入偏置: 10pA 电压 - 输入补偿: 100µV
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 放大器类型: 通用 输出类型: 满摆幅 压摆率: 2.1V/µs 电流 - 供电: - 电压 - 供电，单/双 (±): 4V ~ 10V，±2V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 电路数: 1 增益带宽积: 1.5MHz 电流 - 输入偏置: 10pA 电压 - 输入补偿: 100µV