ADVANCED LINEAR DEVICES INC
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ALD4212PCL
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
描述: 4 Circuit IC Switch 1:1 135 欧姆 16-PDIP
类别: 集成电路（IC） 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 开关电路: SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路: 1:1 电路数: 4 导通电阻（最大值）: 135 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）: 2.7 欧姆 电压- 电源，单（V+）: 3V ~ 12V 电压-电源，双（V±）: ±1.5V ~ 6V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）: 130ns，130ns -3db带宽: - 电荷注入: 0.2pC 沟道电容（CS(off），CD（off））: 3pF，3pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）: 100pA 串扰: -90dB @ 100kHz 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器
描述: 4 Circuit IC Switch 1:1 135 欧姆 16-PDIP
类别: 集成电路（IC） 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 开关电路: SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路: 1:1 电路数: 4 导通电阻（最大值）: 135 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）: 2.7 欧姆 电压- 电源，单（V+）: 3V ~ 12V 电压-电源，双（V±）: ±1.5V ~ 6V 开关时间（Ton,Tof）（最大值）: 130ns，130ns -3db带宽: - 电荷注入: 0.2pC 沟道电容（CS(off），CD（off））: 3pF，3pF 电流-漏泄（IS（off））（最大值）: 100pA 串扰: -90dB @ 100kHz 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP
ALD1726SAL
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 放大器类型: 通用 输出类型: 满摆幅 压摆率: 0.17V/µs 电流 - 供电: 25µA 电压 - 供电，单/双 (±): 2V ~ 10V，±1V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 电路数: 1 增益带宽积: 400kHz 电流 - 输入偏置: 0.01pA 电压 - 输入补偿: 70µV 电流 - 输出/通道: 200µA
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 放大器类型: 通用 输出类型: 满摆幅 压摆率: 0.17V/µs 电流 - 供电: 25µA 电压 - 供电，单/双 (±): 2V ~ 10V，±1V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 电路数: 1 增益带宽积: 400kHz 电流 - 输入偏置: 0.01pA 电压 - 输入补偿: 70µV 电流 - 输出/通道: 200µA
ALD910020SAL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET DUAL SAB 10.6V EE 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 在售 晶体管类型: 2 N-通道（双） 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 10.6V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD910020
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET DUAL SAB 10.6V EE 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 在售 晶体管类型: 2 N-通道（双） 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 10.6V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD910020
ALD910027SALI
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET DUAL SAB 10.6V 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 有源 晶体管类型: 2 N-通道（双） 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 10.6V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD910027
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 特殊用途
描述: MOSFET DUAL SAB 10.6V 8SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: SAB™ 包装: 管件 零件状态: 有源 晶体管类型: 2 N-通道（双） 应用: 超级电容器自动平衡 电压 - 额定: 10.6V 额定电流（安培）: 80mA 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 8-SOIC 基本产品编号: ALD910027
ALD110814SCL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5.4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.42V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD110814
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 N 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5.4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.42V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOIC 基本产品编号: ALD110814
ALD1732APAL
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 放大器类型: 通用 输出类型: 满摆幅 压摆率: 2.1V/µs 电流 - 供电: - 电压 - 供电，单/双 (±): 4V ~ 10V，±2V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 电路数: 1 增益带宽积: 1.5MHz 电流 - 输入偏置: 10pA 电压 - 输入补偿: 400µV
供应商: DigiKey
分类: 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
描述: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 放大器类型: 通用 输出类型: 满摆幅 压摆率: 2.1V/µs 电流 - 供电: - 电压 - 供电，单/双 (±): 4V ~ 10V，±2V ~ 5V 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 电路数: 1 增益带宽积: 1.5MHz 电流 - 输入偏置: 10pA 电压 - 输入补偿: 400µV
ALD114904PAL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 耗尽模式 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 3.6V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 360mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: ALD114904
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 耗尽模式 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 3.6V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 360mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: ALD114904
SABMB910017
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: SUPERCAPACITOR AUTO BAL PCB
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, SAB™ 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 电路保护 功能: 超级电容器电池平衡 嵌入式: - 使用的 IC/零件: ALD910017 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: SUPERCAPACITOR AUTO BAL PCB
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, SAB™ 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 电路保护 功能: 超级电容器电池平衡 嵌入式: - 使用的 IC/零件: ALD910017 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
ALD110914PAL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5.4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.42V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: ALD110914
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: 2 N 沟道（双）配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 10.6V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12mA，3mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 500 欧姆 @ 5.4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.42V @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: ALD110914
ALD310702APCL
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 P 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 180mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP 基本产品编号: ALD310702
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP
制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 4 P 沟道，配对 FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 8V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 180mV @ 1µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2.5pF @ 5V 功率 - 最大值: 500mW 工作温度: 0°C ~ 70°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 16-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 16-PDIP 基本产品编号: ALD310702