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商品列表
B5817W
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):450mV@1A 20V,1A,VF=0.45V@1A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):450mV@1A 20V,1A,VF=0.45V@1A
BAV99
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置:1对串联式 功率:225mW 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):6ns
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置:1对串联式 功率:225mW 直流反向耐压(Vr):70V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):6ns
2SD596
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:25V 电流:700mA NPN 200-320 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):700mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 200-320
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:25V 电流:700mA NPN 200-320 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):700mA 集射极击穿电压(Vceo):25V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 200-320
2N7002
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):200mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA N沟道,60V,0.2A,7.5Ω@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):200mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA N沟道,60V,0.2A,7.5Ω@10V
BAT54A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):800mV@100mA 30V,0.2A,VF=1V@0.1A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):800mV@100mA 30V,0.2A,VF=1V@0.1A
HT7150-1
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
HT7130-1
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
MMBT3904
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN,Vceo=40V,Ic=0.2A