ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是为下列主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：(I) 数字消费电子、(II) 网络、(III) 移动通信和 (IV) 汽车电子。 我们的主要产品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。 我们还设计和销售 EEPROM 和伪 SRAM。 我们面向高增长市场提供低成本、高质量的半导体产品，并寻求与客户建立长期合作关系。 长期以来，我们一直是存储器产品（包含较低密度和较小批量产品）的可靠供应商，即使在产能紧张的时期亦是如此
商品列表
IS61LV2568L-10T-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 2Mb（256K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II 访问时间: 10 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 2Mb（256K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-TSOP II 访问时间: 10 ns
%20Renders/54-TSOP.jpg)
IS45S16800F-7TLA2
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 128Mb（8M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 143 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS45S16800
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 128Mb（8M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 105°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 143 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS45S16800
%20Renders/706;66TSOPII-10.16;;66.jpg)
IS43R83200D-6TL
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 256Mb （32M x 8） 存储器接口: 并联 时钟频率: 166MHz 写周期时间-字，页: 15ns 访问时间: 700ps 电压-电源: 2.3V ~ 2.7V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 66-TSSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 66-TSOP II
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 256Mb （32M x 8） 存储器接口: 并联 时钟频率: 166MHz 写周期时间-字，页: 15ns 访问时间: 700ps 电压-电源: 2.3V ~ 2.7V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 66-TSSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 66-TSOP II
IS61WV1288EEBLL-10HLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb（128K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-TFSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 32-sTSOP I 访问时间: 10 ns 基本产品编号: IS61WV1288
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb（128K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-TFSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 32-sTSOP I 访问时间: 10 ns 基本产品编号: IS61WV1288
IS42S32400F-6BL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 128Mb（4M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS42S32400
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 128Mb（4M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns 基本产品编号: IS42S32400
IS43TR16256AL-125KBLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
==ISSI, Integrated Silicon Solution Inc<: >==- ==卷带（TR）<: >零件状态==停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR3L 存储容量: 4Gb（256M x 16） 存储器接口: 并联 时钟频率: 800 MHz 写周期时间 - 字，页: 15ns 访问时间: 20 ns 电压 - 供电: 1.283V ~ 1.45V 工作温度: -40°C ~ 95°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 96-TFBGA 供应商器件封装: 96-TWBGA（9x13）
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
==ISSI, Integrated Silicon Solution Inc<: >==- ==卷带（TR）<: >零件状态==停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR3L 存储容量: 4Gb（256M x 16） 存储器接口: 并联 时钟频率: 800 MHz 写周期时间 - 字，页: 15ns 访问时间: 20 ns 电压 - 供电: 1.283V ~ 1.45V 工作温度: -40°C ~ 95°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 96-TFBGA 供应商器件封装: 96-TWBGA（9x13）
IS43R16320D-5BL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 2.5V ~ 2.7V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TFBGA（8x13） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 700 ps 基本产品编号: IS43R16320
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 2.5V ~ 2.7V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TFBGA（8x13） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 700 ps 基本产品编号: IS43R16320
IS43R16160D-6BLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不适用于新设计 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 2.3V ~ 2.7V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 700 ps 基本产品编号: IS43R16160
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不适用于新设计 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 2.3V ~ 2.7V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 700 ps 基本产品编号: IS43R16160
IS42VM16160E-6BLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TFBGA 供应商器件封装: 54-TFBGA（8x8） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.95V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TFBGA 供应商器件封装: 54-TFBGA（8x8） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns
IS49NLS93200-25BL
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: DRAM 存储容量: 288Mb（32M x 9） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 144-TFBGA 供应商器件封装: 144-FCBGA（11x18.5） 时钟频率: 400 MHz 访问时间: 20 ns 基本产品编号: IS49NLS93200
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: DRAM 存储容量: 288Mb（32M x 9） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 144-TFBGA 供应商器件封装: 144-FCBGA（11x18.5） 时钟频率: 400 MHz 访问时间: 20 ns 基本产品编号: IS49NLS93200