ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是为下列主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：(I) 数字消费电子、(II) 网络、(III) 移动通信和 (IV) 汽车电子。 我们的主要产品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。 我们还设计和销售 EEPROM 和伪 SRAM。 我们面向高增长市场提供低成本、高质量的半导体产品，并寻求与客户建立长期合作关系。 长期以来，我们一直是存储器产品（包含较低密度和较小批量产品）的可靠供应商，即使在产能紧张的时期亦是如此
商品列表
IS43R16160B-5TLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 2.3V ~ 2.7V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 66-TSSOP (szerokość 0，400，10，16mm) 供应商器件封装: 66-TSOP II 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 700 ps
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 2.3V ~ 2.7V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 66-TSSOP (szerokość 0，400，10，16mm) 供应商器件封装: 66-TSOP II 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 700 ps
IS32LT3173-GRLA3-TR
供应商: DigiKey
分类: PMIC - LED 驱动器
描述: IC LED DRVR LINEAR 200MA 8SOP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: Automotive, AEC-Q100 零件状态: 停产 类型: 线性 拓扑: - 内部开关: 是 输出数: 1 电压 - 供电（最低）: 2.5V 电压 - 供电（最高）: 5.5V 电压 - 输出: 42V 电流 - 输出/通道: 200mA 频率: - 调光: PWM 应用: 汽车级，照明 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装: 8-SOP-EP
供应商: DigiKey
分类: PMIC - LED 驱动器
描述: IC LED DRVR LINEAR 200MA 8SOP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: Automotive, AEC-Q100 零件状态: 停产 类型: 线性 拓扑: - 内部开关: 是 输出数: 1 电压 - 供电（最低）: 2.5V 电压 - 供电（最高）: 5.5V 电压 - 输出: 42V 电流 - 输出/通道: 200mA 频率: - 调光: PWM 应用: 汽车级，照明 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）裸露焊盘 供应商器件封装: 8-SOP-EP
IS43DR86400C-25DBL
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR2 存储容量: 512Mb（64M x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TWBGA（8x10.5） 时钟频率: 400 MHz 访问时间: 400 ps 基本产品编号: IS43DR86400
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR2 存储容量: 512Mb（64M x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 60-TFBGA 供应商器件封装: 60-TWBGA（8x10.5） 时钟频率: 400 MHz 访问时间: 400 ps 基本产品编号: IS43DR86400
IS61NLP12836B-200TQI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 4.5Mb（128K x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-TQFP（14x20） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 3.1 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 4.5Mb（128K x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.465V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-TQFP（14x20） 时钟频率: 200 MHz 访问时间: 3.1 ns
IS45S32400B-6TLA1
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 128Mb（4M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 86-TFSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 86-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 128Mb（4M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 86-TFSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 86-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
IS42S32800D-7BL
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（8M x 32） 存储器接口: 并联 时钟频率: 143 MHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 5.4 ns 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13）
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（8M x 32） 存储器接口: 并联 时钟频率: 143 MHz 写周期时间 - 字，页: - 访问时间: 5.4 ns 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13）
IS43DR16320C-3DBL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR2 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-TWBGA（8x12.5） 时钟频率: 333 MHz 访问时间: 450 ps 基本产品编号: IS43DR16320
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 不適用於新設計 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - DDR2 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 15ns 电压 - 供电: 1.7V ~ 1.9V 工作温度: 0°C ~ 85°C（TC） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-TWBGA（8x12.5） 时钟频率: 333 MHz 访问时间: 450 ps 基本产品编号: IS43DR16320
IS61NVP204836B-166TQLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 72Mb（2M x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.375V ~ 2.625V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x20） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 3.8 ns 基本产品编号: IS61NVP204836
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 72Mb（2M x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.375V ~ 2.625V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 100-LQFP 供应商器件封装: 100-LQFP（14x20） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 3.8 ns 基本产品编号: IS61NVP204836
IS42S32160C-6BLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（16M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-LFBGA 供应商器件封装: 90-WBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（16M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-LFBGA 供应商器件封装: 90-WBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
IS42SM32400H-6BLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 存储容量: 128Mb（4M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns 基本产品编号: IS42SM32400
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM - 移动 存储容量: 128Mb（4M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-TFBGA 供应商器件封装: 90-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.5 ns 基本产品编号: IS42SM32400