ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是为下列主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：(I) 数字消费电子、(II) 网络、(III) 移动通信和 (IV) 汽车电子。 我们的主要产品是高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。 我们还设计和销售 EEPROM 和伪 SRAM。 我们面向高增长市场提供低成本、高质量的半导体产品，并寻求与客户建立长期合作关系。 长期以来，我们一直是存储器产品（包含较低密度和较小批量产品）的可靠供应商，即使在产能紧张的时期亦是如此
商品列表
IS63WV1288DBLL-10KLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb（128K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-BSOJ（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 32-SOJ 访问时间: 10 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停产 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb（128K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 32-BSOJ（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 32-SOJ 访问时间: 10 ns
IS61QDPB42M36A1-500B4L
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，QUADP 存储容量: 72Mb（2M x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 165-LBGA 供应商器件封装: 165-LFBGA（13x15） 时钟频率: 500 MHz 访问时间: 8.4 ns 基本产品编号: IS61QDPB42
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，QUADP 存储容量: 72Mb（2M x 36） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 165-LBGA 供应商器件封装: 165-LFBGA（13x15） 时钟频率: 500 MHz 访问时间: 8.4 ns 基本产品编号: IS61QDPB42
IS42S32160C-6BL-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（16M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-LFBGA 供应商器件封装: 90-WBGA（8x13） 时钟频率: 166MHz 访问时间: 5.4ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（16M x 32） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 90-LFBGA 供应商器件封装: 90-WBGA（8x13） 时钟频率: 166MHz 访问时间: 5.4ns
IS61VVPS204818B-166B3LI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 36Mb（2M x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 165-TBGA 供应商器件封装: 165-TFBGA（13x15） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 3.8 ns 基本产品编号: IS61VVPS204818
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 同步，SDR 存储容量: 36Mb（2M x 18） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 1.71V ~ 1.89V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 165-TBGA 供应商器件封装: 165-TFBGA（13x15） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 3.8 ns 基本产品编号: IS61VVPS204818
IS61LV6416-10KLI
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb（64K x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-BSOJ（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-SOJ 访问时间: 10 ns 基本产品编号: IS61LV6416
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 1Mb（64K x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 3.135V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-BSOJ（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-SOJ 访问时间: 10 ns 基本产品编号: IS61LV6416
IS42S16160D-6TLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
IS65C256AL-25TLA3-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 256Kb（32K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 25ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 28-TSSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 28-TSOP I 访问时间: 25 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 256Kb（32K x 8） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 25ns 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 125°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 28-TSSOP（0.465，11.80mm 宽） 供应商器件封装: 28-TSOP I 访问时间: 25 ns
IS61WV25616BLL-10KLI-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb（256K x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-BSOJ（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-SOJ 访问时间: 10 ns 基本产品编号: IS61WV25616
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 存储器类型: 易失 存储器格式: SRAM 技术: SRAM - 异步 存储容量: 4Mb（256K x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: 10ns 电压 - 供电: 2.4V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 44-BSOJ（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 44-SOJ 访问时间: 10 ns 基本产品编号: IS61WV25616
IS42S16320B-6TL
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 512Mb（32M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: 0°C ~ 70°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TSOP（0.400，10.16mm 宽） 供应商器件封装: 54-TSOP II 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
IS45S16160D-6BLA1-TR
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TFBGA 供应商器件封装: 54-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns
供应商: DigiKey
分类: 存储器
描述: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
制造商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 停產 存储器类型: 易失 存储器格式: DRAM 技术: SDRAM 存储容量: 256Mb（16M x 16） 存储器接口: 并联 写周期时间 - 字，页: - 电压 - 供电: 3V ~ 3.6V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 54-TFBGA 供应商器件封装: 54-TFBGA（8x13） 时钟频率: 166 MHz 访问时间: 5.4 ns