SK HYNIX INC
SK Hynix is the global leader in producing semiconductor, such as DRAM and NAND flash and System IC including CMOS Image Sensors. Since pilot production of Korea's first 16Kb SRAM in 1984, SK Hynix consistently led the industry with smaller, faster and lower power semiconductor.
商品列表
ES3BBG
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装超快速恢复整流器 1V@3A 5uA@100V 35ns Single 3A -55℃~+150℃@(Tj) 100V SMB
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@3A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 4.38 x 3.62mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1V 高度: 2.29mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装超快速恢复整流器 1V@3A 5uA@100V 35ns Single 3A -55℃~+150℃@(Tj) 100V SMB
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@3A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 4.38 x 3.62mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 100V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1V 高度: 2.29mm 引脚数: 2Pin
US2DG
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装超快恢复整流器 -55℃~+150℃@(Tj) 2A 5uA@200V 50ns 1V@2A Single 200V SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V 长x宽/尺寸: 4.25 x 2.50mm 存储温度: -55~150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 2A 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 50ns 高度: 1.05mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装超快恢复整流器 -55℃~+150℃@(Tj) 2A 5uA@200V 50ns 1V@2A Single 200V SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V 长x宽/尺寸: 4.25 x 2.50mm 存储温度: -55~150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 200V 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 2A 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 50ns 高度: 1.05mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
FDV303N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
RS5MCG
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装快速恢复整流器1.3V@5A 5uA@1kV 500ns单5A -55℃~+150℃@(Tj) 1kV SMC
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.3V@5A 存储温度: -55~150℃ 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 5A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 500ns 正向压降VF Max: 1.3V 高度: 2.31mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装快速恢复整流器1.3V@5A 5uA@1kV 500ns单5A -55℃~+150℃@(Tj) 1kV SMC
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.3V@5A 存储温度: -55~150℃ 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 5A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 500ns 正向压降VF Max: 1.3V 高度: 2.31mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
KDS160
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: 开关二极管 VR=75V Ir=1 µA SOD323
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: SK 总电容C: 2pF 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.35mm 封装/外壳: SOD-323(SC-76) 反向漏电流IR: 1μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 75V 平均整流电流: 150mA 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1.25V 高度: 1.20mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: 开关二极管 VR=75V Ir=1 µA SOD323
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: SK 总电容C: 2pF 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.35mm 封装/外壳: SOD-323(SC-76) 反向漏电流IR: 1μA 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 75V 平均整流电流: 150mA 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1.25V 高度: 1.20mm 引脚数: 2Pin
BZT52C30
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=30V 28V~32V Izt=2mA P=500mW SOD123
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 湿气敏感性等级 (MSL): - 品牌: SK 功率: 500mW 精度: ±5% 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: - 正向压降VF: 900mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.65 x 1.60mm 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD-123 工作温度: +150℃(TJ) 系列: - 原产国家: China Taiwan 动态电阻（最大值）: 80Ohm 功率耗散（最大值）: 500mW 容差: ±5% 应用: 通用
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=30V 28V~32V Izt=2mA P=500mW SOD123
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 湿气敏感性等级 (MSL): - 品牌: SK 功率: 500mW 精度: ±5% 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: - 正向压降VF: 900mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.65 x 1.60mm 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD-123 工作温度: +150℃(TJ) 系列: - 原产国家: China Taiwan 动态电阻（最大值）: 80Ohm 功率耗散（最大值）: 500mW 容差: ±5% 应用: 通用
2SD1766R
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 1uA 32V 2W 180@500mA,3V 2A 100MHz 500mV@2A,200mA +150℃@(Tj) SOT-89-3
安装类型: SMT 品牌: SK 功率耗散: 500mW 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 额定功率: 2W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 32V 极性: NPN 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT89-3 集电极-发射极电压 VCEO: 32V 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China Taiwan 零件状态: Active 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 180~390 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 1uA 32V 2W 180@500mA,3V 2A 100MHz 500mV@2A,200mA +150℃@(Tj) SOT-89-3
安装类型: SMT 品牌: SK 功率耗散: 500mW 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 额定功率: 2W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 32V 极性: NPN 跃迁频率: 100MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT89-3 集电极-发射极电压 VCEO: 32V 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China Taiwan 零件状态: Active 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 180~390 引脚数: 3Pin
2SA1213Y
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70 500mA,2V 功率(Pd)：1W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV 1A,50mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 集电极电流(Ic)：2A 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：PNP PNP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 功率耗散: 1W 额定功率: 1W 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 长x宽/尺寸: 4.62 x 2.62mm 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China 特征频率(fT): 200MHz 零件状态: Active 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 70 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70 500mA,2V 功率(Pd)：1W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV 1A,50mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 集电极电流(Ic)：2A 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：PNP PNP
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 功率耗散: 1W 额定功率: 1W 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 长x宽/尺寸: 4.62 x 2.62mm 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China 特征频率(fT): 200MHz 零件状态: Active 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 70 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
1SMA4747AG
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=20V 19~21.2V Izt=13mA P=1W SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 功率: 1W Izt-测试电流: 13mA 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 21.2V Zzt阻抗: 22Ω 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 二极管类型: 单相 反向耐压VR: 15V 功率耗散（最大值）: 1W 正向压降VF Max: 1.2V 零件状态: Active 高度: 2.20mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=20V 19~21.2V Izt=13mA P=1W SMA
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 功率: 1W Izt-测试电流: 13mA 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 21.2V Zzt阻抗: 22Ω 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 5μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 二极管类型: 单相 反向耐压VR: 15V 功率耗散（最大值）: 1W 正向压降VF Max: 1.2V 零件状态: Active 高度: 2.20mm 引脚数: 2Pin
2SB1188R
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅通用晶体管 100nA 25V 1W 120@100mA,1V 1.5A 200MHz 500mV@800mA,80mA PNP +150℃@(Tj) SOT-89-3
安装类型: SMT 品牌: SK 功率耗散: 1W 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 200MHz 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 1.5A 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 原产国家: China Taiwan 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 1.50mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 120~270 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅通用晶体管 100nA 25V 1W 120@100mA,1V 1.5A 200MHz 500mV@800mA,80mA PNP +150℃@(Tj) SOT-89-3
安装类型: SMT 品牌: SK 功率耗散: 1W 包装: Tape/reel Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 跃迁频率: 200MHz 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.45mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 1.5A 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 原产国家: China Taiwan 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 1.50mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 120~270 引脚数: 3Pin