SK HYNIX INC
SK Hynix is the global leader in producing semiconductor, such as DRAM and NAND flash and System IC including CMOS Image Sensors. Since pilot production of Korea's first 16Kb SRAM in 1984, SK Hynix consistently led the industry with smaller, faster and lower power semiconductor.
商品列表
DB3T
供应商: Anychip Mall
分类: 触发二极管
描述: SOD123 28V 10µA 2A 150mW 2Pins
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 击穿电压（最小值）: 28V 包装: Tape/Reel 通态电流: 2A 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 反向击穿电压: 28V 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 2A 击穿电压Max: 36V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 150mW 高度: 1.30mm 零件状态: Active 转折电流(Ibo): 50μA 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 触发二极管
描述: SOD123 28V 10µA 2A 150mW 2Pins
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 击穿电压（最小值）: 28V 包装: Tape/Reel 通态电流: 2A 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.80mm 反向击穿电压: 28V 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 2A 击穿电压Max: 36V 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 150mW 高度: 1.30mm 零件状态: Active 转折电流(Ibo): 50μA 引脚数: 2Pin
2SD1781KR
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅外延平面晶体管 100nA 25V 300mW 50@500mA,1V 500mA 150MHz 600mV@500mA,50mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
安装类型: SMT 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd Vce饱和压降: 600mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 极性: NPN 跃迁频率: 150MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 120~390 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅外延平面晶体管 100nA 25V 300mW 50@500mA,1V 500mA 150MHz 600mV@500mA,50mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23
安装类型: SMT 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd Vce饱和压降: 600mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 极性: NPN 跃迁频率: 150MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 120~390 引脚数: 3Pin
2SA1036K
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 1uA 40V 225mW 20@500mA,2V 500mA 200MHz 0.75V@500mA,50mA PNP -55℃~+105℃@(Ta) SOT-23
安装类型: SMT 集电极-基极电压（VCBO）: -40V 额定功率: 225mW Vce饱和压降: 400mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 极性: PNP 跃迁频率: 200MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 脚间距: 2.53mm 特征频率(fT): 200MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: -5.0V 高度: 1.10mm DC电流增益(hFE): 180~390 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 1uA 40V 225mW 20@500mA,2V 500mA 200MHz 0.75V@500mA,50mA PNP -55℃~+105℃@(Ta) SOT-23
安装类型: SMT 集电极-基极电压（VCBO）: -40V 额定功率: 225mW Vce饱和压降: 400mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Tape/reel 极性: PNP 跃迁频率: 200MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 脚间距: 2.53mm 特征频率(fT): 200MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: -5.0V 高度: 1.10mm DC电流增益(hFE): 180~390 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
2SC4672R
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅通用晶体管 100nA 25V 1W 120@100mA,1V 1.5A 100MHz 500mV@800mA,80mA NPN +150℃@(Tj) SOT-89-3
安装类型: SMT 品牌: SK 功率耗散: 1W 额定功率: 1W 集电极-基极电压（VCBO）: 40V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 1.5A 最小包装: 1000pcs 特征频率(fT): 100MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 120~270 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅通用晶体管 100nA 25V 1W 120@100mA,1V 1.5A 100MHz 500mV@800mA,80mA NPN +150℃@(Tj) SOT-89-3
安装类型: SMT 品牌: SK 功率耗散: 1W 额定功率: 1W 集电极-基极电压（VCBO）: 40V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 1.5A 最小包装: 1000pcs 特征频率(fT): 100MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 1.50mm DC电流增益(hFE): 120~270 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
ES5DCG
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装超快速恢复整流器 1V@5A 5uA@200V 35ns Single 5A -55℃~+150℃@(Tj) 200V
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@5A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 6.75 x 5.90mm 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 5A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1V 高度: 2.31mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 表面贴装超快速恢复整流器 1V@5A 5uA@200V 35ns Single 5A -55℃~+150℃@(Tj) 200V
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V@5A 存储温度: -55~150℃ 长x宽/尺寸: 6.75 x 5.90mm 封装/外壳: SMC(DO-214AB) 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 5A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 1V 高度: 2.31mm 引脚数: 2Pin
SS510BG
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 300uA@100V 100V Single 850mV@5A 5A SMB
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV@5A 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 300µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 150A 平均整流电流: 5A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 850mV 结电容: 300pF
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 300uA@100V 100V Single 850mV@5A 5A SMB
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 品牌: SK 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV@5A 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 300µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China Taiwan 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 150A 平均整流电流: 5A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 850mV 结电容: 300pF
SK3401
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 阈值电压: 1.3V 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,4.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SC59 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 130mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: SK 阈值电压: 1.3V 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,4.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SC59 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 130mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.10mm 晶体管类型: P沟道
SK335N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: SK 阈值电压: 1.3V 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: SK 阈值电压: 1.3V 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 80mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道
SK306P
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=16V VGS=±8V ID=3A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: SK 阈值电压: 1.5V 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@4.5V,3A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 160mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 16V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 P-Channel VDS=16V VGS=±8V ID=3A SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: SK 阈值电压: 1.5V 原始制造商: Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@4.5V,3A 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 3A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 160mΩ 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 16V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 晶体管类型: P沟道
2SB1386R
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 低频晶体管 500nA 20V 500mW 180@500mA,2V 5A 120MHz 1V@4A,100mA PNP +150℃@(Tj) SOT-89-3
安装类型: SMT 额定功率: 500mW 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 集电极-基极电压（VCBO）: -30V Vce饱和压降: -1V 集射极击穿电压Vce(Max): 20V 包装: Tape/reel 极性: PNP 跃迁频率: 120MHz 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 原产国家: China Taiwan 特征频率(fT): 120MHz 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -6V 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 82~390
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 低频晶体管 500nA 20V 500mW 180@500mA,2V 5A 120MHz 1V@4A,100mA PNP +150℃@(Tj) SOT-89-3
安装类型: SMT 额定功率: 500mW 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 集电极-基极电压（VCBO）: -30V Vce饱和压降: -1V 集射极击穿电压Vce(Max): 20V 包装: Tape/reel 极性: PNP 跃迁频率: 120MHz 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 原产国家: China Taiwan 特征频率(fT): 120MHz 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: -6V 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 82~390