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2N7002K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,500mA ESD 应用消费电子、工控通信、汽车电子
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,500mA ESD 应用消费电子、工控通信、汽车电子
S8050
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 应用消费电子、工控通信、汽车电子
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 应用消费电子、工控通信、汽车电子
S9012
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 应用消费电子、工控通信、汽车电子
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):300mW 应用消费电子、工控通信、汽车电子