CMOS

CMD11N40
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：530mΩ

CMD11N43
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

CMU12N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 半导体 晶体管 场效应管 MOS管，TO-251A，N沟道，耐压：100V，电流：12A，10V内阻（Max)：0.12Ω，功率：50W

CMU12P10S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOS管，TO-251，P沟道，耐压：-100V，电流：-9A，10V内阻（Max)：0.24Ω，功率：40W，CISS（Typ）：1300PF

CMSA1653
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOS管，DFN-8 5*6，N沟道，耐压：30V

ATS3157
供应商: Sense Electronic Company Limited

CMB044N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：260W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V

CMSA028N06
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

MJD127T4G
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿管
描述: PNP 耐压:100V 电流:-5A 类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):100V 集电极电流(Ic):-5A

CMN2328GM
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：115mΩ