HXY
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HNE555N
供应商: Anychip Mall
描述: 这款定时器/计时器芯片支持4.5V至16V的宽范围供电电压，可在0℃至+70℃的工作温度范围内稳定运行。它不具备可编程功能，但提供了精确的时间控制，适用于多种电子设备中的定时应用，如家用电器的控制电路、LED照明系统的定时开关以及消费类电子产品的延迟启动机制。其简单可靠的特性使其成为实现定时功能的理想选择。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款定时器/计时器芯片支持4.5V至16V的宽范围供电电压，可在0℃至+70℃的工作温度范围内稳定运行。它不具备可编程功能，但提供了精确的时间控制，适用于多种电子设备中的定时应用，如家用电器的控制电路、LED照明系统的定时开关以及消费类电子产品的延迟启动机制。其简单可靠的特性使其成为实现定时功能的理想选择。
IRFR1205PBF-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: IRFR1205PbF N沟道MOS管，采用业界主流TO-252-2L封装形式，拥有良好的散热性能和紧凑体积，适配多种电路设计需求。该器件具有60V的额定电压VDSS和高达30A的连续电流ID处理能力，确保在高功率环境下稳定工作。其22mR的低导通电阻使得能源转换效率更高，系统损耗更低。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载切换等场景，出厂前经过严格质量检验，保证每一片MOS管的高性能与可靠性。
供应商: Anychip Mall
描述: IRFR1205PbF N沟道MOS管，采用业界主流TO-252-2L封装形式，拥有良好的散热性能和紧凑体积，适配多种电路设计需求。该器件具有60V的额定电压VDSS和高达30A的连续电流ID处理能力，确保在高功率环境下稳定工作。其22mR的低导通电阻使得能源转换效率更高，系统损耗更低。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载切换等场景，出厂前经过严格质量检验，保证每一片MOS管的高性能与可靠性。
HTPS79333DBVR
供应商: Anychip Mall
描述: 这款线性稳压器（LDO）能够在输入电压最高6V的情况下，提供稳定的3.3V输出电压，最大输出电流为250mA。其静态电流为75μA，表现出良好的能效比。该LDO适用于需要精确电压控制的应用场合，例如便携式电子设备、无线传感器节点等，能够确保在轻负载条件下也拥有高效的电源管理，从而延长设备的续航时间。其紧凑的设计和低功耗特性使其成为移动和物联网设备的理想选择。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款线性稳压器（LDO）能够在输入电压最高6V的情况下，提供稳定的3.3V输出电压，最大输出电流为250mA。其静态电流为75μA，表现出良好的能效比。该LDO适用于需要精确电压控制的应用场合，例如便携式电子设备、无线传感器节点等，能够确保在轻负载条件下也拥有高效的电源管理，从而延长设备的续航时间。其紧凑的设计和低功耗特性使其成为移动和物联网设备的理想选择。
ZMM16V
供应商: Anychip Mall
描述: 该款稳压二极管设计用于提供精确的电压稳定，其标称稳压值（VR）为16V，确保了在各种电路中的可靠性能。器件的正向电压降（VF）为1V，在保证电流顺畅通过的同时，降低了能量损耗。反向漏电流（IR）低至0.1微安，意味着在无正向偏置电压下几乎无电流泄漏，提升了整体电路的效率。最大耗散功率（PD）为0.5瓦，适用于多种需要电压稳定的场合，如消费电子产品中的电源管理部分，有助于维持系统的稳定运行。
供应商: Anychip Mall
描述: 该款稳压二极管设计用于提供精确的电压稳定，其标称稳压值（VR）为16V，确保了在各种电路中的可靠性能。器件的正向电压降（VF）为1V，在保证电流顺畅通过的同时，降低了能量损耗。反向漏电流（IR）低至0.1微安，意味着在无正向偏置电压下几乎无电流泄漏，提升了整体电路的效率。最大耗散功率（PD）为0.5瓦，适用于多种需要电压稳定的场合，如消费电子产品中的电源管理部分，有助于维持系统的稳定运行。
HLM358N
供应商: Anychip Mall
描述: 这款双路运算放大器适用于音频处理和信号调理等多种应用。其输入偏置电流仅为150nA，有助于减少直流误差，而7mV的输入失调电压保证了信号的精确传递。该放大器可在广泛的电源电压下工作，适用于消费电子产品中的信号放大和滤波任务。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款双路运算放大器适用于音频处理和信号调理等多种应用。其输入偏置电流仅为150nA，有助于减少直流误差，而7mV的输入失调电压保证了信号的精确传递。该放大器可在广泛的电源电压下工作，适用于消费电子产品中的信号放大和滤波任务。
MBRX160
供应商: Anychip Mall
描述: 这款肖特基二极管具备高性能特点，适用于多种电子设备中的高速开关和整流应用。其最大连续正向电流IF/A为1安培，反向阻断电压VR/V高达60伏特，同时正向电压降VF/V仅为0.72伏特，有助于减少能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流IR/uA为300微安，显示了良好的隔离效果。瞬时正向峰值电流IFSM/A可达20安培，确保了在极端条件下的稳定表现。该二极管以其快速的开关特性和低导通电压，非常适合用于便携式设备及通信系统的电源转换和保护电路中。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款肖特基二极管具备高性能特点，适用于多种电子设备中的高速开关和整流应用。其最大连续正向电流IF/A为1安培，反向阻断电压VR/V高达60伏特，同时正向电压降VF/V仅为0.72伏特，有助于减少能量损耗。在反向偏置条件下，漏电流IR/uA为300微安，显示了良好的隔离效果。瞬时正向峰值电流IFSM/A可达20安培，确保了在极端条件下的稳定表现。该二极管以其快速的开关特性和低导通电压，非常适合用于便携式设备及通信系统的电源转换和保护电路中。
1N5817WS
供应商: Anychip Mall
描述: 肖特基二极管是一种高性能的半导体器件，具有快速开关特性和低正向电压降的特点。本款肖特基二极管的最大连续正向电流IF为1A，最大反向电压VR为20V，正向电压降VF仅为0.45V，在微小的封装内实现了高效的能量转换。反向漏电流IR在室温下不超过1000微安，体现了良好的阻断性能。此外，瞬态峰值电流IFSM可达25A，适用于需要高速度和高效率的电路设计中，如高频开关电源、信号整流以及其他要求严苛的电子设备中。
供应商: Anychip Mall
描述: 肖特基二极管是一种高性能的半导体器件，具有快速开关特性和低正向电压降的特点。本款肖特基二极管的最大连续正向电流IF为1A，最大反向电压VR为20V，正向电压降VF仅为0.45V，在微小的封装内实现了高效的能量转换。反向漏电流IR在室温下不超过1000微安，体现了良好的阻断性能。此外，瞬态峰值电流IFSM可达25A，适用于需要高速度和高效率的电路设计中，如高频开关电源、信号整流以及其他要求严苛的电子设备中。
DSK110
供应商: Anychip Mall
描述: 此款肖特基二极管拥有1A的最大正向电流IF，峰值反向电压VR为100V，而在正向导通状态下的电压降VF仅为0.85V，展现出低功耗特性。其反向漏电流IR在室温下为200μA，瞬时正向浪涌电流IFSM可达30A，适合于高频电路中的整流与保护作用。该二极管凭借其快速的开关速度和低正向压降，广泛应用于电源转换、自由轮转以及电压箝位等电子设备中，是提升电路效率与稳定性的关键组件。
供应商: Anychip Mall
描述: 此款肖特基二极管拥有1A的最大正向电流IF，峰值反向电压VR为100V，而在正向导通状态下的电压降VF仅为0.85V，展现出低功耗特性。其反向漏电流IR在室温下为200μA，瞬时正向浪涌电流IFSM可达30A，适合于高频电路中的整流与保护作用。该二极管凭借其快速的开关速度和低正向压降，广泛应用于电源转换、自由轮转以及电压箝位等电子设备中，是提升电路效率与稳定性的关键组件。
SS5200C
供应商: Anychip Mall
描述: 92此款肖特基二极管设计用于高性能应用，其最大正向电流（IF/A）为5A，能够承受高达200V的反向电压（VR/V）。在正向导通时，电压降（VF/V）为0.92V，有助于降低功耗。该二极管在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过20微安。同时，它还能承受最高175A的瞬时峰值电流（IFSM/A）。这些特性使其成为高频开关电源、整流以及其他需要快速开关速度和低正向电压降的电子设备的理想选择。
供应商: Anychip Mall
描述: 92此款肖特基二极管设计用于高性能应用，其最大正向电流（IF/A）为5A，能够承受高达200V的反向电压（VR/V）。在正向导通时，电压降（VF/V）为0.92V，有助于降低功耗。该二极管在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过20微安。同时，它还能承受最高175A的瞬时峰值电流（IFSM/A）。这些特性使其成为高频开关电源、整流以及其他需要快速开关速度和低正向电压降的电子设备的理想选择。
SL1545
供应商: Anychip Mall
描述: 这款肖特基二极管具备高效的电流处理能力，最大平均正向电流（IF/A）可达15A，最高反向电压（VR/V）为45V，而在正向导通状态下的电压降（VF/V）低至0.47V，漏电流（IR/uA）在常温条件下为200微安。此外，它能够承受高达175A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）。凭借其低功耗和快速开关速度，此二极管非常适合用于各种电子设备中的高速开关应用及电源管理部分，能够有效提升转换效率并减少能量损失。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款肖特基二极管具备高效的电流处理能力，最大平均正向电流（IF/A）可达15A，最高反向电压（VR/V）为45V，而在正向导通状态下的电压降（VF/V）低至0.47V，漏电流（IR/uA）在常温条件下为200微安。此外，它能够承受高达175A的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A）。凭借其低功耗和快速开关速度，此二极管非常适合用于各种电子设备中的高速开关应用及电源管理部分，能够有效提升转换效率并减少能量损失。